Single Crystalline NiO Nanowires Grown via VLS Mechanism and Their Significance on Resistive Switching Memory
Single Crystalline NiO Nanowires Grown via VLS Mechanism and Their Significance on Resistive Switching Memory
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通过VLS机制生长的单晶NiO纳米线及其对阻变存储器的意义
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
長島 一樹 他
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takao YASUI;Sakon RAHONG;Koki MOTOYAMA;Takeshi YANAGIDA;Qiong WU;Noritada KAJI;Masaki KANAI;Kentaro DOI;Kazuki NAGASHIMA;Masanobu TOKESHI;Masateru TANIGUCHI;Satoyuki KAWANO;Tomoji KAWAI;and Yoshinobu BABA;山口 祐典 他;Yusuke Yamaguchi et al.;G.Meng他13名;高橋 幸奈 他;K.Nagashima他12名;Jing You et al.;K.Nagashima他11名;山田 淳;片岸 美保 他;F.Zhuge他14名;山田淳;K. Nagashima et al.;山田淳;G. Meng et al.;G. Meng et al.;山田 淳;長島 一樹;山田 淳;Annop Klamchuen et al.;長島 一樹 他
