Low Temperature Hetero-Epitaxy of Ferromagnetic Silicide on Ge Substrates for Spin-Transistor Application

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用于自旋晶体管应用的 Ge 衬底上铁磁性硅化物的低温异质外延

DOI:
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发表时间:
2008
期刊:
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol. E91-C No. 5
影响因子:
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通讯作者:
Y. Ando et. al
Y. Ando et. al
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
Y.Ohta;et al;Y. Ando et. al;Takeshi Machida;Y. Ando et. al

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