Multistep Electron Charging to and Discharging from Silicon-Quantum-Dots Floating Gate in nMOSFETs

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nMOSFET 中硅量子点浮栅的多步电子充电和放电

DOI:
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发表时间:
2006
期刊:
Trans.of the Materials Research Society of Japan 31-1
影响因子:
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通讯作者:
T.Nagai
T.Nagai
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
Sugita;N.;Warisawa;S.;Mitsuishi;M.;Suzuki;M.;Moriya;H.;Kuramoto,K.;Takaaki Manaka 他3名;T.Nagai

文献摘要

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