Compositional control in molecular beam epitaxy growth of GaNyAs1−y on GaAs (001) using an Ar/N2 RF plasma
Compositional control in molecular beam epitaxy growth of GaNyAs1−y on GaAs (001) using an Ar/N2 RF plasma
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使用 Ar/N2 RF 等离子体在 GaAs (001) 上分子束外延生长 GaNyAs1−y 的成分控制
DOI：
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Springthorpe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Gupta;Z. Wasilewski;B. Riel;J. Ramsey;G. Aers;Robin L. Williams;G. Sproule;A. Perović;D. Perovic;T. Garanzotis;A. Springthorpe
