One-step chemical vapor deposition of 3D-NbS2/2D-MoS2 metal/semiconductor junctions
One-step chemical vapor deposition of 3D-NbS2/2D-MoS2 metal/semiconductor junctions
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3D-NbS2/2D-MoS2 金属/半导体结的一步化学气相沉积
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Masatou Ishihara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Mitsuhiro Okada;Naoya Okada;Wen-Hsin Chang;Toshitaka Kubo;Tetsuo Shimizu;Toshifumi Irisawa;Masatou Ishihara
