Study of HfSiOx film as gate insulator for GaN power device
Study of HfSiOx film as gate insulator for GaN power device
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HfSiOx薄膜作为GaN功率器件栅极绝缘体的研究
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yasuo Koide
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Toshihide Nabatame;Erika Maeda;Mari Inoue;Ryota Ochi;Yasuhiro Irokawa;Tamotsu Hashizume;Koji Shiozaki;Yasuo Koide
