M.Tomitori, K.Watanabe, M.Kobayashi and O.Nishikawa: "STM Study of Ge Growth Mode on Si(001) Substrates" Applied Surface Science. (in print).

M.Tomitori, K.Watanabe, M.Kobayashi and O.Nishikawa: "STM Study of Ge Growth Mode on Si(001) Substrates" Applied Surface Science. (in print).
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M.Tomitori、K.Watanabe、M.Kobayashi 和 O.Nishikawa:“Si(001) 基板上 Ge 生长模式的 STM 研究”应用表面科学。

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