Radiation Hardened Memory and Logic using Phase Transition Material

Radiation Hardened Memory and Logic using Phase Transition Material
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使用相变材料的抗辐射存储器和逻辑

DOI:
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发表时间:
2019
期刊:
Government Microelectronic Conference
影响因子:
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通讯作者:
Nibhanupudi, S.S. Teja
Nibhanupudi, S.S. Teja
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
Kulkarni, Jaydeep .;Nibhanupudi, S.S. Teja

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