Y.Hashimoto: "Roles of Si-Insertion Layer at Ga As/Al As Heterointerface determined by X-ray Photomission Spectroscopy." J.Vac.Sci.Tech(to be published). (1994)
Y.Hashimoto: "Roles of Si-Insertion Layer at Ga As/Al As Heterointerface determined by X-ray Photomission Spectroscopy." J.Vac.Sci.Tech(to be published). (1994)
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Y.Hashimoto：“通过 X 射线光电发射光谱确定 Ga As/Al As 异质界面中 Si 插入层的作用。”
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