Low Turn-off Loss 4H-SiC Insulated Gate Bipolar Transistor with a Trench Heterojunction Collector
Low Turn-off Loss 4H-SiC Insulated Gate Bipolar Transistor with a Trench Heterojunction Collector
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具有沟槽异质结集电极的低关断损耗 4H-SiC 绝缘栅双极晶体管
DOI：
10.1109/jeds.2020.3022571
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发表时间：
2020
影响因子：
2.3
通讯作者：
Jian-qun Yang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ying Wang;Cheng-hao Yu;Hong-kai Mao;Xue Wu;Fang-wen Su;Xing-ji Li;Jian-qun Yang
