Electrical properties of boron-doped diamond films after annealing treatment

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DOI:
10.1016/0925-9635(94)05317-0
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发表时间:
1995-04
影响因子:
4.1
通讯作者:
Chia-Fun Chen;Sheng-Hsiung Chen
Chia-Fun Chen;Sheng-Hsiung Chen
中科院分区:
材料科学2区
文献类型:
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作者:
Chia-Fun Chen;Sheng-Hsiung Chen

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