歪緩和InGaAsバリア層に埋め込んだInAs量子ドットのキャリア緩和におけるドーピング効果
歪緩和InGaAsバリア層に埋め込んだInAs量子ドットのキャリア緩和におけるドーピング効果
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掺杂对嵌入应变弛豫 InGaAs 势垒层中 InAs 量子点载流子弛豫的影响
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
森田健
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Matsumiya;T. Iwashige;T. Inoue;H. Watanabe;Yumi Matsumiya and Hiroshi Watanabe;Matsumiya Y;森田健
