Thin epitaxial si films as a passivation method for Ge(100) : Influence of deposition temperature on ge surface segregation and the high-k/Ge interface quality
Thin epitaxial si films as a passivation method for Ge(100) : Influence of deposition temperature on ge surface segregation and the high-k/Ge interface quality
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薄外延硅薄膜作为 Ge(100) 钝化方法：沉积温度对 Ge 表面偏析和高 k/Ge 界面质量的影响
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Heyns
中科院分区：
文献类型：
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作者：
F. Leys;R. Bonzom;B. Kaczer;T. Janssens;W. Vandervorst;B. D. Jaeger;J. Steenbergen;K. Martens;D. Hellin;J. Rip;G. Dilliway;A. Delabie;P. Zimmerman;M. Houssa;A. Theuwis;R. Loo;M. Meuris;M. Caymax;M. Heyns
