Fabrication of hexagonal GaN on the surface of β-Ga2O3 single crystal by nitridation with NH3
Fabrication of hexagonal GaN on the surface of β-Ga2O3 single crystal by nitridation with NH3
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NH3氮化法在β-Ga2O3单晶表面制备六方GaN
DOI：
10.1016/j.tsf.2005.08.230
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
T. Shishido
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. Ohira;Masayuki Yoshioka;T. Sugawara;K. Nakajima;T. Shishido
影响因子：
1.8
作者：
KARPINSKI, J;JUN, J;POROWSKI, S
通讯作者：
POROWSKI, S