Fabrication of large-diameter GaN substrate with low curvature using the sapphire dissolution technique in the Na-flux growth
Fabrication of large-diameter GaN substrate with low curvature using the sapphire dissolution technique in the Na-flux growth
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使用钠助熔剂生长中的蓝宝石溶解技术制造大直径低曲率GaN衬底
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Y. Mori
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Yamada*;M. Imanishi;K. Murakami;K. Nakamura; M. Yoshimura;and Y. Mori
