Electronic structure evolutions driven by oxygen vacancy in SrCoO3-x films
Electronic structure evolutions driven by oxygen vacancy in SrCoO3-x films
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SrCoO3-x 薄膜中氧空位驱动的电子结构演化
DOI：
10.1007/s40843-019-9410-2
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发表时间：
2019
影响因子：
8.1
通讯作者：
Guo Haizhong
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Zhao Jiali;Luo Yi;Wang Jia Ou;Qian Haijie;Liu Chen;He Xu;Zhang Qinghua;Huang Heyi;Zhang Bingbing;Li Shunfang;Guo Erjia;Ge Chen;Yang Tieying;Li Xiaolong;He Meng;Gu Lin;Jin Kui Juan;Ibrahim Kurash;Guo Haizhong
离子缺陷, 比如氧空位, 在过渡金属氧化物的磁性和电子结构中起着至关重要的作用. 对氧空位进行调控广泛应用于催化和能量转换领域. 我们研究了SrCoO3−x的电子结构与氧含量x的关系, 发现随着氧空位含量的减少, Co 3d和O 2p之间的杂化增强. SrCoO2.5+δ的价带顶具有明显的O 2p特征. 随着氧含量的进一步增加, Co离子从高自旋的Co3+变成了中自旋的Co4+, 实现了绝缘体到金属的转变. 关于SrCoO3−x中氧空位引起电子结构演变的研究不仅展示了Co离子自旋的转变, 同时也为其在催化和能源领域的应用提供了理论支持.