Lateral Epitaxial Overgrowth and Pendeo Epitaxy of 3C-SiC on Si Substrates
Lateral Epitaxial Overgrowth and Pendeo Epitaxy of 3C-SiC on Si Substrates
复制标题
Si 衬底上 3C-SiC 的横向外延过度生长和 Pendeo 外延
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.338-342.245
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发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Jones
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Saddow;G. E. Carter;B. Geil;T. Zheleva;Galyna Melnychuck;M.E. Okhuysen;M. Mazzola;R. Vispute;M. Derenge;M. Ervin;K. Jones
