Growth of MoS2-Nb-doped MoS2 lateral homojunctions: A monolayer p-n diode by substitutional doping
Growth of MoS2-Nb-doped MoS2 lateral homojunctions: A monolayer p-n diode by substitutional doping
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MoS2-Nb 掺杂 MoS2 横向同质结的生长：通过替代掺杂的单层 p-n 二极管
DOI：
10.1063/5.0070333
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
6.1
通讯作者：
Takatoshi Yamada
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Mitsuhiro Okada;Naoka Nagamura;Tarojiro Matsumura;Yasunobu Ando;Anh Khoa Augustin Lu;Naoya Okada;Wen-Hsin Chang;Takeshi Nakanishi;Tetsuo Shimizu;Toshitaka Kubo;Toshifumi Irisawa;Takatoshi Yamada
