HVPE growth of high-quality self-standing GaN thick layers by HVPE

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通过 HVPE 生长高质量自支撑 GaN 厚层

DOI:
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发表时间:
2013
影响因子:
1.5
通讯作者:
A. Sato and H. Goto
A. Sato and H. Goto
中科院分区:
物理与天体物理4区
文献类型:
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作者:
T. Sato;S. Okano;T. Goto;T. Yao;R. Seto;A. Sato and H. Goto

文献摘要

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