細田 陽一、松村 英樹、古川 静二郎: "触媒CVD法による低温形成Poly-Siの高移動度化(1)ー堆積条件と膜構造、膜特性の関係ー" 応用物理学会、春季全国大会予稿集. 31a-ZF-1. (1993)

Yoichi Hosoda、Hideki Matsumura、Seijiro Furukawa：“通过催化 CVD 方法提高低温形成的多晶硅的迁移率 (1) - 沉积条件、薄膜结构和薄膜性能之间的关系 -” 日本应用物理学会，Spring National会议记录 .31a-ZF-1 (1993)。