Polariton lasing in InGaN quantum wells at room temperature
Polariton lasing in InGaN quantum wells at room temperature
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室温下 InGaN 量子阱中的极化子激射
DOI：
10.29026/oea.2019.190014
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发表时间：
2019-12
影响因子：
14.1
通讯作者：
Baoping Zhang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Jinzhao Wu;Hao Long;Xiaoling Shi;Song Luo;Zhanghai Chen;Zhechuan Feng;Leiying Ying;Zhiwei Zheng;Baoping Zhang
本文报道了基于InGaN多量子阱(MQW)的正负失谐微腔中的激子极化子，以及室温下InGaN/GaN多量子阱中利用4.5MQW的法布里-珀罗(F-P)腔的第一次极化子激光作用。结果表明，在室温下，激子在InGaN/GaN多量子阱的正、负失谐微腔中产生激子极化子，在InGaN/GaN多量子阱中产生第一极化子激光
In this paper, we report the exciton polaritons in both positive and negative detuning micro cavities based on InGaN multi-quantum wells (MQWs) and the first polariton lasing in InGaN/GaN MQWs at room temperature by utilizing a 4.5λ Fabry-Perot (F-P) cavi