Low threshold InP/AlGaInP on GaAs QD laser emitting at ∼740 nm
Low threshold InP/AlGaInP on GaAs QD laser emitting at ∼740 nm
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GaAs QD 激光器发射约 740 nm 的低阈值 InP/AlGaInP
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2006.10.087
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发表时间：
2007
影响因子：
1.8
通讯作者：
P. Smowton
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Krysa;S. Liew;J. C. Lin;J. Roberts;J. Lutti;G. Lewis;P. Smowton
