Photoabsorption Properties in InAs Wire Structures Investigated by Dual Light Illumination Method in Scanning Tunneling Microscopy
Photoabsorption Properties in InAs Wire Structures Investigated by Dual Light Illumination Method in Scanning Tunneling Microscopy
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扫描隧道显微镜中双光照明方法研究 InAs 线结构的光吸收特性
DOI：
10.1143/jjap.50.08lb08
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发表时间：
2011
影响因子：
1.5
通讯作者：
Takuji Takahashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shuichi Katsui;Takuji Takahashi
