First-principles study to obtain evidence of low interface defect density at Ge/GeO2 interfaces
First-principles study to obtain evidence of low interface defect density at Ge/GeO2 interfaces
复制标题
第一性原理研究以获得 Ge/GeO2 界面低界面缺陷密度的证据
DOI：
--
复制
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T.Ono
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S.Saito;T.Hosoi;H.Watanabe;T.Ono
