N-Doped GeTe for Highly Reliable Phase-Change Device
N-Doped GeTe for Highly Reliable Phase-Change Device
复制标题
用于高可靠性相变器件的 N 掺杂 GeTe
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Yahagi and Y. Yin
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Fujiwara Takao;Niiyama Koji;Yin You;S. Yahagi and Y. Yin
