Surface modification of Cu(In,Ga)Se2 thin films by radio frequency magnetron sputtering with a gradient power
Surface modification of Cu(In,Ga)Se2 thin films by radio frequency magnetron sputtering with a gradient power
复制标题
梯度功率射频磁控溅射对 Cu(In,Ga)Se2 薄膜进行表面修饰
DOI：
--
复制
发表时间：
2018
影响因子：
0.5
通讯作者：
班士良
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
任宁宇;朱俊;王延来;班士良
采用射频磁控溅射技术，在单一季元陶瓷靶材上制备了铜铟镓硒（Cu(In,Ga)Se2， CIGS）薄膜，并进行了快速热处理。目标是由Cu2Se， Ga2Se3, an
Copper indium gallium selenide (Cu(In,Ga)Se2, CIGS) thin films were fabricated using radio frequency magnetron sputtering from a single quaternary ceramic target followed by the rapid thermal annealing treatment. The target was made of Cu2Se, Ga2Se3, an