Similarities of lags, current collapse and breakdown characteristics between source and gate field-plate AlGaN/GaN HEMTs
Similarities of lags, current collapse and breakdown characteristics between source and gate field-plate AlGaN/GaN HEMTs
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源极场板 AlGaN/GaN HEMT 之间的滞后、电流崩塌和击穿特性的相似性
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Horio
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Hanawa;H. Onodera;A. Nakajima;K. Horio
