Improvement in NiSi/Si contact properties with C-implantation
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DOI：
10.1016/j.mee.2005.07.046
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发表时间：
2005-12
影响因子：
2.3
通讯作者：
O. Nakatsuka;K. Okubo;A. Sakai;M. Ogawa;Y. Yasuda;S. Zaima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
O. Nakatsuka;K. Okubo;A. Sakai;M. Ogawa;Y. Yasuda;S. Zaima
