Field Isolation of GaN MOSFET by Boron Ion Implantation
Field Isolation of GaN MOSFET by Boron Ion Implantation
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通过硼离子注入实现 GaN MOSFET 的场隔离
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Ying Jiang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Nishimoto;D. Y oshida;K. Ogata;and M.Tanabe;Mineo Kaneko;Yoshinari Kamakura;Ying Jiang
