Band Renormalization of Semiconductors by High Intensity Infrared Laser : One-Dimensional Model
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复制标题
高强度红外激光半导体能带重整化：一维模型
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.Kayanuma
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Mizumoto;Y.Kayanuma
