The dissolution process of Si into Ge melt and SiGe growth mechanism by x-ray penetration method
The dissolution process of Si into Ge melt and SiGe growth mechanism by x-ray penetration method
复制标题
X射线穿透法研究Si溶入Ge熔体过程及SiGe生长机理
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y. Hayakawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Omprakash;M. Arivanandhan;R.A. Kumar;H. Morii;T. Aoki;T. Koyama;Y. Momose;H. Ikeda;H. Tatsuoka;Y. Okano;T. Ozawa;Y. Inatomi; S.M. Babu;Y. Hayakawa
