Spectroscopic evidence of resonance energy transfer mechanism from PbS QDs to bulk silicon
Spectroscopic evidence of resonance energy transfer mechanism from PbS QDs to bulk silicon
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从 PbS 量子点到块体硅的共振能量转移机制的光谱证据
DOI：
10.1051/epjconf/20135401017
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发表时间：
2013
影响因子：
--
通讯作者：
Andreakou P
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Andreakou P
在这项工作中，我们研究了从PbS量子点到体硅的共振能量转移效率。我们提出的光谱证据表明，从PbS量子点到体硅的共振能量转移可以有效地分离距离低于12 nm。还介绍了在5 nm和20nm衬底上沉积在玻璃和硅上的PbS量子点的温度测量。研究结果表明，在50K ~ 300K温度范围内，共振能量传递效率保持不变。
In this work, we study the efficiency of the resonance energy transfer from PbS quantum dots to bulk silicon. We present spectroscopic evidence that resonance energy transfer from PbS quantum dots to bulk silicon can be an efficient process for separation distances below 12 nm. Temperature measurements are also presented for PbS quantum dots deposited on glass and silicon with 5 nm and 20nm spacer thicknesses substrates. Our findings show that the resonance energy transfer efficiency remains constant over the 50K to 300K temperature range.
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