Effect of indium surfactant on MOVPE growth of N-polar GaN
Effect of indium surfactant on MOVPE growth of N-polar GaN
复制标题
铟表面活性剂对N极GaN MOVPE生长的影响
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Matsuoka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Aisaka;T. Tanikawa;T. Kimura;T. Iwabuchi;K. Shojiki;R. Katayama;T. Hanada;T. Matsuoka
