終端バリア層厚制御によるA1GaN系深紫外LEDの注入効率の向上

終端バリア層厚制御によるA1GaN系深紫外LEDの注入効率の向上
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通过控制终端势垒层的厚度提高AlGaN基深紫外LED的注入效率

DOI:
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发表时间:
2007
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
武内 道一
武内 道一
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
Nagao;K.;Takahashi;K.;Hanada;K.;Kioka;N.;Matsuo;M.;and Ueda;K.;武内 道一

文献摘要

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