Parallel TBMD, hybrid classical/TB-MD, and their application to interfacial phenomena in nanostructured semiconductors

Parallel TBMD, hybrid classical/TB-MD, and their application to interfacial phenomena in nanostructured semiconductors
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并行 TBMD、混合经典/TB-MD 及其在纳米结构半导体界面现象中的应用

DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
Second International Conference on Multiscale Materials Modeling, Conference Proceedings (Ed. Nasr M.Ghoniem)
影响因子：
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通讯作者：
S.Ogata
S.Ogata
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
K.Tsuruta;C.Totsuji;H.Totsuji;S.Ogata

文献摘要

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