Formation of Si and Ge-based Full-Heusler Alloy Thin Films Using SOI and GOI Substrates for the Half-Metallic Source and Drain of Spin Transistors
Formation of Si and Ge-based Full-Heusler Alloy Thin Films Using SOI and GOI Substrates for the Half-Metallic Source and Drain of Spin Transistors
复制标题
使用 SOI 和 GOI 衬底形成硅和锗基全赫斯勒合金薄膜，用于自旋晶体管的半金属源极和漏极
DOI：
--
复制
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
and S. C.sugahara
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y.Taakamura;A. Nisnijima;Y . Nagahama;R. Nakane;and S. C.sugahara
