Improvement of High Ns Mobility of Ge MOSFETs by Reducing GeOx/Ge Interface Roughness
Improvement of High Ns Mobility of Ge MOSFETs by Reducing GeOx/Ge Interface Roughness
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通过降低 GeOx/Ge 界面粗糙度提高 Ge MOSFET 的高 Ns 迁移率
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
R. Zhang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
X.Wang;A.Rahim Ruslinda;H.Kawarada;R. Zhang
