M. Higashiwaki: "Temperature dependence of photoluminescence from high-density GaAs/(GaAs)ィイD24ィエD2(AlAs)ィイD22ィエD2 quantum wires grown on (775) B-oriented GaAs substrates by molecular beam epitaxy"Physica E. 2. 959-963 (1998)
M. Higashiwaki: "Temperature dependence of photoluminescence from high-density GaAs/(GaAs)ィイD24ィエD2(AlAs)ィイD22ィエD2 quantum wires grown on (775) B-oriented GaAs substrates by molecular beam epitaxy"Physica E. 2. 959-963 (1998)
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M. Higashiwaki：“通过分子束外延生长在 (775) B 取向 GaAs 衬底上的高密度 GaAs/(GaAs)D24D2(AlAs)D22D2 量子线的光致发光的温度依赖性”Physica E. 2. 959-963 (1998) ）
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