Highly Compact Isolated Gate Driver With Ultrafast Overcurrent Protection for 10 kV SiC MOSFETs
Highly Compact Isolated Gate Driver With Ultrafast Overcurrent Protection for 10 kV SiC MOSFETs
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高度紧凑的隔离式栅极驱动器，具有适用于 10 kV SiC MOSFET 的超快过流保护
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J. Kolar
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D. Rothmund;D. Bortis;J. Kolar
