Defect electronics in SiC for high-voltage power devices
Defect electronics in SiC for high-voltage power devices
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用于高压功率器件的 SiC 电子器件缺陷
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and S. Ichikawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Kimoto;J. Suda;K. Kawahara;H. Niwa;T. Okuda;N. Kaji;and S. Ichikawa
