2. III-V/Ge デバイス構造, 先端LSI 技術大系(GNC Tech. Vol.2)、第3章 将来技術
2. III-V/Ge デバイス構造, 先端LSI 技術大系(GNC Tech. Vol.2)、第3章 将来技術
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2. III-V/Ge器件结构，先进LSI技术体系（GNC Tech. Vol.2），第3章未来技术
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
高木信一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
池田 隆明;小長井 一男;片桐 俊彦;清田 隆;高木信一
