A high power Tx/Rx switch IC using AlGaN/GaN HFETs
A high power Tx/Rx switch IC using AlGaN/GaN HFETs
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使用 AlGaN/GaN HFET 的高功率 Tx/Rx 开关 IC
DOI：
10.1109/iedm.2003.1269350
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
D. Ueda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Ishida;Y. Hirose;T. Murata;A. Kanda;Y. Ikeda;T. Matsuno;K. Inoue;Y. Uemoto;T. Tanaka;T. Egawa;D. Ueda
首次研制了一种基于AlGaN/gan HFET的超高功率Tx/Rx开关集成电路。通过硅掺杂技术实现的低导通电阻和使用Al/sub2/O/sub3/衬底实现的低关态电容，使器件在1 GHz时获得了0.26分贝的插入损耗和27分贝的隔离度，功率处理能力为43 W。
An extremely high power Tx/Rx switch IC based on AlGaN/GaN HFETs has been developed for the first time. A low on-state resistance realized by Si doping techniques and a low off-state capacitance by using an Al/sub 2/O/sub 3/ substrate led to excellent performance of 0.26 dB insertion loss and 27 dB isolation with the power handling capability of 43 W at 1 GHz.