m面GaN基板上にNH3-MBE成長したAl0.25Ga0.75Nの時間空間分解CL評価-GaN基板のチルトモゼイクが発光特性に及ぼす影響-
m面GaN基板上にNH3-MBE成長したAl0.25Ga0.75Nの時間空間分解CL評価-GaN基板のチルトモゼイクが発光特性に及ぼす影響-
复制标题
m 面 GaN 衬底上 NH3-MBE 生长的 Al0.25Ga0.75N 的时空分辨 CL 评估 - GaN 衬底倾斜镶嵌对发光特性的影响 -
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
秩父重英,羽豆耕治,石川陽一,田代公則,古澤健太郎,長尾哲,藤戸健史
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y. Abe;H. Baba and H. Yamada;高澤晋，白井直機， 内田 諭，杤久保文嘉;H. Tabata;秩父重英,羽豆耕治,石川陽一,田代公則,古澤健太郎,長尾哲,藤戸健史
