New challenges for 300mm Si technology: 3D interconnects at wafer scale by aligned wafer bonding
New challenges for 300mm Si technology: 3D interconnects at wafer scale by aligned wafer bonding
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300mm Si 技术的新挑战：通过对齐晶圆键合实现晶圆级 3D 互连
DOI：
10.1016/s1369-8001(02)00133-6
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发表时间：
2002
影响因子：
4.1
通讯作者：
C. Schaefer
中科院分区：
文献类型：
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作者：
V. Dragoi;P. Lindner;M. Tischler;C. Schaefer
