T.Saito: "Quantum confined electronic states in InGaN dots embedded in GaN : Tight-binding calculation"Proc.of 27th Int.Symp.on Compound Semiconductors, Monterey, California, 2000. (in press). (2001)
T.Saito: "Quantum confined electronic states in InGaN dots embedded in GaN : Tight-binding calculation"Proc.of 27th Int.Symp.on Compound Semiconductors, Monterey, California, 2000. (in press). (2001)
复制标题
T.Saito:“嵌入 GaN 中的 InGaN 点中的量子限制电子态:紧束缚计算”Proc.of 27th Int.Symp.on 化合物半导体,蒙特利,加利福尼亚州,2000 年。(印刷中)。
DOI:
--
复制
发表时间:
--
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
中科院分区:
文献类型:
--
作者: