表面活性化によるInPとSiCの室温ウェハ接合
表面活性化によるInPとSiCの室温ウェハ接合
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通过表面活化进行 InP 和 SiC 的室温晶圆键合
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
前川敏輝,範云翰,渡辺要,多喜川良
中科院分区：
文献类型：
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作者：
P. Ramesh Babu;S. Kalainathan;and Satoru Yoshimura;前川敏輝,範云翰,渡辺要,多喜川良
