Numerical simulation of hole transport in silicon nallostructures
Numerical simulation of hole transport in silicon nallostructures
复制标题
硅微结构空穴传输的数值模拟
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Minari and N. Mori
中科院分区：
文献类型：
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作者：
三成英樹;西谷大祐;森伸也;H. Minari and N. Mori;H. Minari and N. Mori
