Enhanced tunnel magnetoresistance and electric-field effect in CoFeB/MgO/CoFeB perpendicular tunnel junctions with W underlayer
Enhanced tunnel magnetoresistance and electric-field effect in CoFeB/MgO/CoFeB perpendicular tunnel junctions with W underlayer
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DOI：
10.1016/j.cap.2017.04.003
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发表时间：
2017-07
影响因子：
2.4
通讯作者：
Daehoon Kim;Kyung-Woong Park;Byong‐Guk Park
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Daehoon Kim;Kyung-Woong Park;Byong‐Guk Park
