Comments on Peierls‐distorted Indium Chains in In4Se3–x
Comments on Peierls‐distorted Indium Chains in In4Se3–x
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对 Peierls 在 In4Se3âx 中扭曲的铟链的评论
DOI：
10.1002/zaac.201200534
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Tom Nilges
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Oliver Osters;Gustavo Blazek;Tom Nilges
由原型化合物In_4Se_3衍生出的名义In_4Se_3-x（x = 0.65）是一种良好的热电材料，在705 K时的Z值为1.48。该值接近现有技术热电材料的状态。在文献中，这种特殊的行为是由硒缺乏引起的化合物内的Peierls失真或电荷密度波解释的。虽然在文献中报道了针对不同组合物的广泛热电研究，但是仍然缺少硒缺陷样品存在的确凿证据。在这项工作中，我们报告的合成，相分析，和温度依赖的单晶测定的In 4Se 3-x样品，以澄清这些结构特征。
Nominal In4Se3–xwithx= 0.65, derived from the prototype compound In4Se3, is a good thermoelectric material achieving aZvalue of 1.48 at 705 K. This value is close to state of the art thermoelectric materials. In literature this special behavior is explained by a Peierls‐distortion or Charge Density Wave within the compound caused by the selenium deficit. While extensive thermoelectric studies for different compositions are reported in literature, a solid proof of the existence of selenium deficit samples is still missing. In this work we report about the synthesis, phase analyses, and temperature dependent single crystal determinations of In4Se3–xsamples in order to clarify these structural features.
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通讯作者：
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10.1002/zaac.200900425
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影响因子：
--
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O. Osters
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S. Lange