Direct Measurement of the Binding Energy and Bohr Radius of a Single Hydrogenic Defect in a Semiconductor Quantum Well
Direct Measurement of the Binding Energy and Bohr Radius of a Single Hydrogenic Defect in a Semiconductor Quantum Well
复制标题
半导体量子阱中单个氢缺陷的结合能和玻尔半径的直接测量
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S.Perraud
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Nakamura;T.;S.Perraud
